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影響活性炭吸附塔吸附效果的因素分析

發(fā)布時間:2020-11-16點擊:次

摘要:通過介紹干法尾氣回收工藝流程、活性炭吸附塔的吸附原理,并分析影響活性炭吸附塔吸附效果的因素,并得出結(jié)論。

改良西門子法多晶硅生產(chǎn)中干法尾氣回收的主要作用是將還原尾氣中的氯硅烷、氫氣、氯化氫進行分離回收,回收后的氫氣直接進入還原爐,用于還原三氯氫硅生成多晶硅,因此回收氫氣的質(zhì)量與產(chǎn)量決定多晶硅的質(zhì)量與產(chǎn)量。目前行業(yè)中多采用活性炭吸附的方法進行氫氣凈化,活性炭吸附塔的吸附效果和處理能力也就成為了影響多晶硅質(zhì)量與產(chǎn)量的關(guān)鍵因素。

1、干法尾回收工藝流程

干法尾氣回收系統(tǒng)有四級冷凝、壓縮、吸收、解析、吸附、再生氣回收等單元操作。四級冷凝將還原尾氣中大量的氯硅烷冷凝成液體被分離,回收的液體將用泵送入解析塔以解析出HCl。壓縮將經(jīng)過四級冷卻的氣體由0.35MPa提壓至1.2Mpa。然后進入吸收塔用-40℃的氯硅烷液體吸收HCl,大約99.8%的HCl被吸收,吸收HCl的液體和四級冷卻出的液體在解析塔中蒸餾出HCl,大約99.9%回收的HCl從解析塔的頂部以-40℃液體形態(tài)流出。塔底氯硅烷進入精餾分離出TCS進入還原爐再使用。經(jīng)過吸收塔噴淋后的氫氣,還含有氯化氫、二氯二氫硅、三氯氫硅、四氯化硅以及硼和磷等物質(zhì),通過活性炭吸附凈化后進入還原爐回收利用。流程圖見圖1:

影響活性炭吸附塔吸附效果的因素分析

2、活性炭吸附塔的吸附原理

活性炭是一種多孔性的含炭物質(zhì),它具有高度發(fā)達的孔隙構(gòu)造,活性炭的多孔結(jié)構(gòu)為其提供了大量的表面積,能與氣體(雜質(zhì))充分接觸,從而賦予了活性炭所特有的吸附性能,使其非常容易達到吸收收集雜質(zhì)的目的。就像磁力一樣,所有的分子之間都具有相互引力。正因為如此,活性炭孔壁上的大量的分子可以產(chǎn)生強大的引力,從而達到將有害的雜質(zhì)吸引到孔徑中的目的。

多晶硅生產(chǎn)中,活性炭吸附塔利用了活性炭的物理吸附原理,將氫氣中氯化氫、氯硅烷及少量的雜質(zhì)吸附至活性炭的微孔內(nèi),已達到除雜的目的。并且這種吸附是完全可逆的,雜質(zhì)從活性炭微孔內(nèi)脫附出來的過程,稱為再生過程。吸附塔在高壓常溫下吸附,在常壓高溫下完成脫附再生,三個吸附柱交替進行上述過程,完成一個吸附周期,實現(xiàn)氫氣的連續(xù)純化,得到滿足要求的氫氣。

3、活性炭吸附塔的影響因素

活性炭在使用一定的時間后,需要進行加熱再生,將吸附的物料脫附出來,并用干凈的氫氣吹掃帶出。此過程需要在規(guī)定的時間周期內(nèi)完成,同樣活性炭吸附塔也需在規(guī)定的時間內(nèi)被加熱到再生所需溫度。通過活性炭吸附塔氫氣量越大,帶入氯化氫、氯硅烷物料多,脫附時所需熱量越多,活性炭吸附塔的升溫越慢,在規(guī)定的時間內(nèi)難以達到再生的溫度,影響再生效果。再生效果不佳,直接影響吸附塔的吸附效果及處理能力。影響再生溫度的因素如下:

(1)活性炭傳熱系數(shù)影響

活性炭因廠家、型號不同而存在差異,其導熱系數(shù)一般介于0.17-0.28W/m·k之間,傳熱性能差,致使再生時熱介質(zhì)所提供的熱量不能被充分吸收,加熱速率較慢。采購時,盡可能選擇質(zhì)量好、性能優(yōu)的活性炭,根據(jù)處理量計算出對應(yīng)的活性炭裝填量,并適當放余量。

(2)活性炭吸附塔設(shè)計換熱面積不足

吸附塔設(shè)計中換熱面積不足,影響再生時的加熱溫度,進而影響再生效果;主要表現(xiàn)在熱介質(zhì)溫度足夠高,而其進出吸附柱的溫差較小時。總結(jié)分析生產(chǎn)數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)(見圖一、圖二),可以通過一定范圍內(nèi)提高熱介質(zhì)的溫度和流量來適當彌補換熱面積不足的問題。

吸附塔處理的氫氣量為15000Nm3/h,熱介質(zhì)對應(yīng)溫度為180℃的前提下,熱介質(zhì)流量變化與達到再生溫度所需時間的對照圖如圖2:

影響活性炭吸附塔吸附效果的因素分析

吸附塔處理的氫氣量為15000Nm3/h,熱介質(zhì)對應(yīng)流量為60m3/h的前提下,熱介質(zhì)溫度變化與達到再生溫度所需時間的對照圖如下:

影響活性炭吸附塔吸附效果的因素分析

(3)前端吸收塔吸收液組分的影響

氫氣中夾帶的氯化氫、氯硅烷主要被吸附柱在吸附柱下部,再生脫附時需要吸收大量的熱量,脫附吸熱基本上等同于汽化熱,遠遠大于比熱(見表1)。再生過程中氯硅烷脫附所需熱量遠大于溫升所需熱量。

表1 氯硅烷種介質(zhì)比熱和汽化熱值

組分 比熱J/kg·℃ 汽化熱J/kg
SiH2Cl2 610.864 2.16e6
SiHCl3 962.32 1.92e6
SiCl4 836.8 1.62e6

生產(chǎn)證明,活性炭吸附柱處理還原尾氣的能力遠遠小于處理氫化尾氣的量。主要原因在于,氫化尾氣處理系統(tǒng)中,氫氣進入活性炭吸附柱前,在吸收塔用氯硅烷進行噴淋時,氯硅烷中的四氯化硅含量居高,揮發(fā)度小,氫氣中夾帶進入活性炭吸附塔的氯硅烷質(zhì)量也相應(yīng)較小,活性炭再生時易加熱,再生充分,處理能力也較大。而處理還原尾氣時,吸收塔的氯硅烷噴淋液中三氯氫硅、二氯二氫硅比重大,氫氣中夾帶多,造成活性炭再生時加熱速率慢,在規(guī)定的時間內(nèi)難以完成再生過程,為保證氫氣吸附效果,只能降吸附塔的處理量,造成處理能力降低。通過生產(chǎn)發(fā)現(xiàn),還原尾氣吸附塔中氫氣夾帶氯硅烷的量較氫化尾氣高百分之六十,而對應(yīng)吸附塔的處理能力較氫化尾氣下降百分之四十。

4、活性炭吸附塔超負荷運行對產(chǎn)品質(zhì)量的影響

查找文獻發(fā)現(xiàn),當吸附柱長期處于飽和狀態(tài)下工作時,會使吸附柱的吸附能力降低,致使HCl對活性碳中的一些有害雜質(zhì),如磷、硼、碳等元素析出,并通過氫氣一并帶入還原生產(chǎn)系統(tǒng)中。同時通過生產(chǎn)數(shù)據(jù)分析證明,活性炭吸附塔的負荷較小,處理量在滿負荷的百分之八十以下時,氫氣處理量與多晶硅產(chǎn)品中的雜質(zhì)含量是沒有相關(guān)性的;當活性炭吸附塔處理量過大,影響再生效果時,氫氣處理量與多晶硅產(chǎn)品中的雜質(zhì)呈現(xiàn)明顯相關(guān)性。進一步證明活性炭吸附塔有吸附氫氣中雜質(zhì)的能力,超負荷運行直接影響多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量。

5、結(jié)語

活性炭采購時,選擇合適廠家及型號的活性炭,確保吸附性能;活性炭吸附塔在設(shè)計階段,為保證再生效果,應(yīng)考慮適當增加活性炭吸附塔換熱面積,提高熱介質(zhì)溫度;尾氣回收中,在吸收塔噴淋環(huán)節(jié)進量降低吸收液中的輕組分雜質(zhì)含量,較少吸附塔氯硅烷的帶入量;當還原尾氣中的氫氣處理氣量過大時,應(yīng)增加吸附裝置,避免影響多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量。

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